通讯芯片和一般以硅元素组成的芯片相比，最大的不同在于，通讯组件，封装形式较单纯，使用层数较少，因此在找失效点前的样品制备上，不适合用delayer方式一层一层去除，因为容易也将缺陷点(defect)给去掉。

此外，通讯芯片主要原料是磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)，特别怕酸液的侵蚀，所以样品去封胶的酸液调配就是关键，特别是不同制程的通讯芯片，配方比例就会有所不同。

完成样品制备后，该如何串接各项失效分析工具，直接找到Bug?

让我们来看看宜特如何神速为客户找到漏电源。

案例一：光通讯组件漏电，P电极端无法侦测，换个方向从N电极端下手，Hot Spot立刻现形。

光通讯组件漏电，P电极端(P-Electrode)有较厚的金属层当电极层，遮蔽了漏电源(Hot Spot) (见下图1-1)。宜特利用特殊的样品制备手法，从N电极端下手，Hot Spot立刻现形(图1-2)。

大范围的找到漏电源之后，进行更进一步显微切片分析结构观察，发现金属层与Substrate层的接合处，出现defect (图1-3)，因此分析，此defect就是造成通讯组件功能衰减而有漏电。

案例二：样品制备酸液配方是关键，简单两步骤，快速找到微波通讯组件Defect。

微波通讯组件在样品制备Decap时，酸液容易侵蚀样品，宜特使用独门的酸液配方，搭配精确失效分析工具选择：

1.先利用OBIRCH大范围抓到Hot Spot热点(图2-1)

2.接着使用Dual beam FIB切片后(图2-2)，Defect立刻在绝缘层(Dielectric oxide)现形!发现绝缘层烧毁，使上下电极层(Electrode metal)有漏电现象。