消费型芯片短缺现象已逐步缓解，但工业用及车用IC缺货的问题仍就存在。当不肖芯片通路商拿假IC鱼目混珠充当真品贩卖，劣质芯片使得产品良率亮红灯，进而冲击公司信誉与形象，采购方该如何是好?

该如何解决此状况呢? 在宜特实验室累积多年厚实的芯片检测分析经验里，我们归纳出鉴别芯片真伪可以留意的内容，包括组件编号、日期、制造商、焊接脚等外观/封装型式，以及内部IC打线、晶粒(Die) 尺寸，更深入的确认电性特征等，简单五步骤的分析流程，让芯片是真是假速现形。

第一步骤 : 外观检查

透过3D OM，确认样品的外观、厚度、标记(marking)、流水号、封装样式等是否相同(图二)

图二: 透过3D-OM，确认marking及封装材料的各项参数。

第二步骤 : 打线确认

藉由2D-XRay检查样品内部的打线或封装型式是否相同。如果有机会照到Die，也可以量测其尺寸与厚度来进行比较(图三)。

图三: 透过2D X-Ray，确认打线、Die尺寸与厚度。

第三步骤 : 电性量测

将所有引脚分别接地(Pin to GND)，或进行I-V Direct Current(DC)量测。例如我们可以设定固定电压范围及限电流，快速量测比对样品各脚位的电性特征(图四)。

图四: 透过I-V Curve，确认各脚位的电性特征是否有差异。

第四步骤 : 芯片开盖

将样品开盖去除黑胶(Decap)，藉以观察Die面的电路布局状况、Die的尺寸与打线的线径，同时，也可以检查芯片制造商的logo是否相同(图五)。

图五: decap后的各项参数量测

第五步骤 : 工艺比对

使用双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)工具，在欲比对的样品相同处的密死循环( seal ring)，或指定位置进行断面(剖面)观察，藉以确认工艺信息是否相同 (图六)。

图六:透过DB-FIB，确认样品的工艺信息。